在 开发65纳米工艺制程过程中，Intel最重视的一点就是在提高工作速度的同时降低泄漏电流以解决散热问题。为此，Intel在制造技术和电路技术方面均采取了降低泄漏电流的措施。在制造技术方面，通过采用90纳米工艺开始引进的“应变硅”核心技术而得以改善。具体而言，nMOS电晶体外形成了一层Si3N4膜，pMOS电晶体则在源极和漏极中采用了SiGe材料。由此就给电晶体沟道部分施加了拉伸应力，从而就能提高载流子的迁移率。结果，作为65纳米工艺，与不使用应变硅相比，可将工作速度提高约30%。另外，与90纳米工艺相比，65纳米工艺电晶体在工作速度相同的条件下，能够将泄漏电流减少到原来的1/4左右。 在电路技术方面，配置了一个用来切断泄漏电流流向缓存（SRAM）的开关。通过在SRAM元件与接地线之间插入nMOS开关电容器，切断空闲SRAM元件的电源。由此可将SRAM的泄漏电流降低到原来的1/3左右。
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